Поз. обозна- Наименование Кол. Примечание Поз. 060зна. Кол. Примечание Наименование чение чение I R17 Резистор СП5-3-IВт 100 Ом:!:: 10% R9 ОМЛТ 0,125-33 кОм:!:5% ОЖО.468.506 ТУ J{иод полупроводниковый 2;L522Б RI0 ОМЛТ0,125-120 Ом:!: 10% VI, V2 2 дР3.362.029-01 ТУ Юl ОМЛТ-0,125-7,5 кОм:!:10% VЗ, V4 Транзистор 2П303А Ц23.365.003 ТУ 2 Ю2 ОМЛТ-0,125-15 кОм:!:5% V5, V6 ;Lиод полупроводниковый 2С213Ж 2 R1З ОМЛТ-0;125-24 КОМ:!:
10% СМ3.362.825 ТУ TlJ)анзиС1'О,Р 2П303А Ц23.365.о0З ТУ 2 R15 ОМЛТ-О,25-6,2 кОм:!:10% V7, V8 ;Lиод полупроводниковый 2С213Ж Rl6 C229B.O,125320 кОм:!:О,1 %-I,OA V9, VI0 2 СМ3.362.825 ТУ R17 C229B-0,125-35,2 KOM:!:O,1 %-I,О-А V11 Транзистор 2Т20lБ СБО.336.046 ТУ R18 ОМЛТ-О,125300 кОм:!:IO% VI2...VI4 Диод полупроводниковый ;L223Б 3 R19 СП5-3-IВт 10 кОм:!:10% СМ3.362.018 ТУ Транзистор 2Т20зr ЩЫ3.365.007 ТУ Резисторы СП5-З ОЖО.468.506 ТУ V15 Резисторы омпт ОЖО.467.107 ТУ Диод полупроводниковый 2Д522Б Резисторы С2-29В ОЖО.467.099 ТУ V16, V17 2 дР3.362.02901 ТУ R20 СП53IВт 1 кОм:!:10% VI8...V22 Диод полупроводниковый Д223Б R21 СП53IВт 470 ОМ:!: 10% СМ3.362.018 ТУ 5 5 R22 ОМЛТ-0,125360 кОм:!:
10% Х2...Х6 Штырь ЕЭ7.740.385 R23 ОМЛТ0,125-1,5 кОм:!:10% R24 СП53IВт 470 Ом:!:10% R25 С2-29В-0,125-47 Ом:!:О,1 %-I,О-А R26 C229B-0,125-407 Ом:!: 0,1 %-I,О-А R28 ОМЛТ-О,125-20 кОм:!:10% R29 ОМЛТ0,125-47 КОМ:!: 10% R30, R31 C2-29B-O,1252,87 кОм.!::О,1 %-I,O-A 2 R32 ОМЛТ-0,125-1 KOM:!:IO% Резисторы С2-29В ОЖО.467.099 ТУ Резисторы QMпT ОЖО.467.107 ТУ R33 C2-29B-0,125-47 кОм:!:О,1 % -I,О-В R34 ОМЛТ-О,125-15 кОм:I: 10% 56 11