nepe'leHb элементов Позицион ное обо- значение Наименование Коли чест- во При меча- ние С1 С2 СЗ 01,02 Н1...Н7 Н8...Н12 R1...R7 R8...R14 R15 R16 У1, У2 G1 R1 А2 У1 С1 С2 С3 С4 С5 С6 С7 С8 С9 С10 t11, С12 01 II R1 R2 RЗ А4 R5 R6 R7 А8 .. 30 I t I I 1 С2-З6-22,1 ком!о,5%-А-В 1 I . С2-Зб-1 'Ом!O%.A" 1. I f-- . astena.ru Блок стабилизаторов напрllНМЯ 3.233.121 ' Конденсаторы К50-20-16 В 2200 мкФ К5З-4А-16 В 100 мкФ i:20% К5З-4А-16 В 47 мкФ :!:20% Микросхема 142ЕН5А 2 Блок индикации 3_045.028 Индикатор цифровой ! 7 ЗЛС24Б . Диод излучающий 5 3Л341Б Резисторы: С2-2З-О,125-1,1 кОм:!: 7 i: 1О%-А-В С2-23-0, 125-300 Ом! 7 :!:10%-А-В С2-2З-О, 125-62 Ом! :!:1О%-А-В С2-23-0,125-120 Ом! :!:
1 O"wA-В Транзисторная матрица 2 2Т0622А reHepaTop кварцевый 3.261.006 Резонатор К1-12 1 МИ-5000К-В Подоrреватель 60 Ом Резистор ММТ-1-10 кОм!20% Транзистор 2Т830Б Конденсаторы: КМ-5б-С47-100 nфj;10% КМ5б-Н90-0,О15 мкф82%% КД+М 1500-1 00 nФ:!:5%-3 rOCT ВД715970 КМ-5б-Н90-0,047 мкФ8% КМ-5б-М47-330 nфi:10% КМ-5б-М47-180 пФ:!: 10% Конденсаторы: КМ-5б-Н90-0,047 мкФ8% КМ-5б-М47-100 nФ:!:10% КМ-5б-Н90-0,015 мкФ:!:8% КМ-5б-Н90О,047 мкф+80% \ 1 КМ-5б-Н90-0 015 мкФ+ % 2 , 20 Микросхема 122УД1Б 1 Катушка индуктивности М. " 1 M-11122 I I I I Резисторы: С2-З6-365 kOmiO,5%-А-В С2-36-2, 7 4 kOm:t0,5%-А-В С2-Зб-22, 1 KOM:!:U.5%-AB С2-З6-2,74 KOM!0,5"wA-В Резисторы:
С2-36-2,21 kOmi:O,5%-А-В С2-36-511 Omi:0,5%-А-В Входит в 5.863.003 68-150 пФ 332-698 ОМ Позицион- Наименование Коли- При меча- ное обо- чест- ние значение во А9 1 С2-З6-200 Omi:O,5%-А-В 1 А10 . С2-З6-9,09 kOmfO,5%-А-В А11 I С2-36-З,65 ком!0,5%-А-В 1 А12 r С2-З6-9,09 kOmi:%-А-В 1 R1З I С2-36-511 Om:!:O,5%-А-В 1 А14 С2-36-З65 Om:!:O,5%-А-В 1 А15 t С2-З6-274 Ом!0,5%-А-В 1 А16 I С2-З6-З,65 kOmfO,5%-А-В 1 А17 I С2-36-511 Omi:0,5%-А-В 1 I Транзисторы: У1 I 2ТЗ26Б 1 У2 2ТЗ16Д 1 vз I Диод импульсный 2Л522Б 1 У4,У5 Транзистор 2ТЗ 16Д 2 У5 ; Диод импульсный 2Д522Б 1 У7 Стабилитрон 2С182Ж 1 У8 Транзистор 2ТЗ16Д 1 Усилитель 2.030.052 А1 Микросхема 140У Д8А 1 . Конденсаторы:
С1,С2 КМ-5б-М47-100 nФ:!:.10% 2 сз КМ-5б-Н90-О,015 мкФ:!:.8 % 1 С4 Конденсатор 1 Емкость монтажа С5 КМ-5б-М1500-1000 nФ:!:.10% 1 С6,С7 КМ-5б-Н90-0 015 мкФ+ 80% 2 С8 КМ-5б-Н90-О:068 мкФ+В% С9 К5З-4А-б,З В-1,0 мкф:fi8%-в 1 С10 КМ-5б-Н9D-0,1 мкФ:!:.8'% 1 С11 КМ-5б-Н9D-О,015 МКФ8% 1 С12 КМ-5б-М47-56 nФ:!:10% 1 С13 ..С19 КМ-5б-Н90-0,015 мкФ:!:.8% 7 С20 КМ-5б-Н90-0,068 мкФ:!:.8% 1 С21 КМ-5б-Н90-0 1 мкф+80% 1 , 20 Конденсаторы: С22...С26 КМ-5б-Н90-0,068 мкФ:!:.8% 5 С27, С28 К53-4А-16В-ЗЗ мкФ:!:20%-В 2 С29...С31 КМ-5б-Н90-0 068 мкф+80% 3 С32, С3З КМ-5б-М47-100 nФ:!:10olo 0 2 Д1 Микросхема 100ЛП116 1 Н1 Диод излучающий ЗЛЗ41 Б 1 К1 Реле РЭС-49 1 l1, l2 Дроссель ВЧ ДМ-З-1 MKrHi:
2 :!:5% L3,L4 ДрОС9ель ВЧ ДМ-О,4-20 2 MKHi:5% Резисторы: А1 С2-2З-О,125-110 kOmi:5%-А-В 1 А2 С2-2З-0,125-1 MOm:!:1%-А-В 1 R3 СЗ-14-0, 125-9, 1 МОм:!:5% 1 А4 С2-2З-0, 125-1,1 MOm!5o/o-А-В 1 А5 С2-2З-О,125-1 MOm!1o/o-А-8 1 Резисторы:
А6 С2-2З-0, 125-2 kOm!1%-А-В 1 А7 С2-2З-0, 125-11 О kOm:t5%-А-В 1 А8 С2-23-0, 125-2 kOm:!:.1%-А-В 1 А9 С2-2З-О,125-150 kOm:!:.1%-А-В 1 А10 С2-23-0,125-2 kOm!5%-А-В 1 А11 С2-2З-О, 125-2 MOm:!:.1%-А-В 1 А12 С2-2З-О, 125-430 Om:t5%-А-В 1 А13, А14 С2-2З-О,125-470м!5%-А-В 2 А15 С2-23-0,125-1,82 KOMI1%-A-B 1 А16 С2-23-0,125-30 Om:t5%-А-В 1 А11 С2-23-0, 125-47 Ом!5%-А-В 1 А18 С2-2З-0, 125- 2 Ом+5%-А-В 1 А19 С2-23-0,125-5,1 KOMI5%-A-B 1 А20 С2-23-Оу 125-2 kOm:t5%-А-В 1 А21 С2:23-0, 125-2 kOm:t5%-А-В 1