Структурная охема детектора фазового увы 10ОМГц Импульонобы бавовыя. дочектор У ут [= Рио. 8. Дотвитор фивовый состоит па`оледующих устройств: формирователя строб-иыпульсов; мыпульоно-фавового детенторау уснянтеля поотоянного тока. Опорный сигнал чаотожой 10 ИГц о умножителя частоты 5 Гц ОТТО, ДАИ2.069.000 93) черз разъем ШГ поотупаат 72. 2. У16 (ДАИ на формирователь сз род-импульсов, выполненный на диоде ДТ и короткозвмкнутой ковкональной линии 91. Генератор импульсов формирует короткий половичельньй импульс, воторый подводится к импульсному . тринеформатору ТрГ.
С выхода трансформатора коротние разнополярные нпульсм 1о- двотся на Импульсно-фаловый детектор, выполненный на диодах ДЗНа выходе импулсно-фазового детентора включен накопительный кон- денсатор С4, ма котором формируются расширенные импульсы. С по- проковсдитол балансировка смесиъющью переменного резистора ИЗ знак Сигнал частотой 100 МГЦ с генератора 100 МП У (лиг. те1. ОТО. ДАИ2.00.001 93) через рьзъем 2 поступает на второй вход нипульсно- фазового детектора. С выхода мыпульсно-Фазового детектор“ преобразованный сигная поотупвыт на вход усняичедя ПОСТОЯННОГО тока, ВЫПОЛНЕННОГО по которого задается элементами 16; 46р 19; ВЕТ; 47, О.
| Генератор отробимпульсов состоит из параметрического диод \Уб, работахщего в режные накопленияи формирующих аиний №/ 1 и №2. Отробимпульсы вырабатываются о частотой иретной частоте. 100 МГц, При прямом смешении диод обладает ниокни комплеконым сопротивлениом (большой ди{Иузионной еихостью), при обратном смещении: почти независимым от Напряжения комплексным сопротивяениом, Процесо формировьния импульса понвзан графически на рис. 4. Вю времи положительного полупериода налряжения диод проводит тор и педоние напряжения на нем мало. В это вреия происходит налопление неосновных ноонтелей в активной области перехода диода.
Во время’ отрицательного полуперкода напряжения х диоду прихожено напряжение обратного смещения, и в течение премени, оравнимого с`времоном жизни носителей, через диод протокаот онльный обратный тон, пова’ в активной области не наступит обеднение носителей. Заряд у перехода. падает до нуля,и поле перехода вномввет резкое прекращение тока нвосновных носителей. длительность пераходного процесса на много порядков корочо времени жизни носителей. Таним обрезом, формируется периодическая последовательность импульсов с крутым фронтом. Для простоты предотавлония формы кривых на рно. 4 не учитывит влияния перазитных емкостей, индуктивности вводов в несднородностей в диоде.
Благодаря симметричному вилючению формирупвих линии М/1 и \2 в мост смесителя, форинруются два разнопояяриых импульса, которые поступают на беланоный смеситель, собранный на диодах Уби У?. {СВЧ сигнал в диапазоне 2,6-4,0 ГГц через разъем Х2 поступает На смеситель. Диоды смесителя работают в ключевом реднме. Бедансировка смесителя производится при помощи резистора Е24 пря отоутотвии на разъеме Х2 СВЧ сигнела.
Стробимпульсы отрывают смесительные диоды Уб6, У7унонденеаори (С16,47 _ быстро заряхштся не одинаковую величину через малые сопротивлонаи откритых диодов‚ После окончения стробимпульсов кондентеторы медленно начинагт разражаться через обратные сопротивления овярытых диодов и вкодное сопротивление УПТ. При этом сигнал на разъеме ХЗ