мостовую схему и обеспечивают оrраничение входноrо треуrоль Horo сиrнала, уровень оrраничения KOToporo реrУ."'IИруется перемен- ным резистором R189. Выходные диодные матрицы D18, D19 также представляют собой диодную мостовую схему, в сиrнальную диаrональ которой включен резистор R230, сrлаживающий характеристику оrрани чения. N\ежду мостовыми схемами включены две ячейки нелиней ной аппроксимации, собранные на матрицах D15, D16, точная установка рабочих точек которых корректируется соответственно переменными резисторами R213, R202 и R219, R205. Общая pery- лировка рабочих токов диодноrо преобразователя задается пере- менными резисторами R173, R174.
Сиrнал синусоидальной формы формируется на наrрузке, под- ключенной к выходу диодной мостовой схемы D18, D19. Наrруз кой является резистор R242. Для компенсации постоянной COCTaB ляющей сформированноrо сиrнала синусоидальной формы служит переменный резистор R92. Сиrнал с выхода ПТС поступает на предварительный опера- ционный усилитель через переключатель 53.2. входу. В режиме внутренней фазовой манипуляции, коrда исполь зуется встроенный делитель частоты, замыкаются выводы 8, 9 платы при помощи тумблера 52 (приложение 2), расположенноrо на передней панели reHepaTopa. При этом на вход 5-триrrера (ми- кросхема Dll.l) поступает единичный уровень.
С выхода делителя частоты (вывод 6 триrrера на микросхеме Dll.l) сиrнал поступает на вход микросхемы D9, представляю- щей собой ждущий мультивибратор, управляемый лоrическим элементом ИИЛИНЕ. При отсутствии сиrнала на входе транзи- стора VT12 (работа reHepaTopa в режиме внутренней манипуля- ции), на выводе 4 микросхемы D9 устанавливается единичный уровень и она управляется по выводу 3 в моменты, соответствую щие обнулению сиrнала с выхода делителя частоты. На выводе f (инверсный выход) микросхемы D9 формулируются короткие от- рицательные импульсы уровня ТТЛ, на выводе 6 (прямой выход) формируются положите ы уровня тт Л, поступающие на вход вторителя транзисторе VT 15.
Длитель- ность вы дных...liI.пstе"'f'J ы D9 определяется постоян ной вре ANW3Iт::"ивноемкост u почки R102, С35. Вспо ат микросхема DJ1.2) срабатывает при обну и сиrнала на ero входе 5 (вывод 10 микросхемы) и формирует на своем выходе (вывод 9) единичный уровень, KOTO рый существует до последующеrо положительноrо перепада на так- товом входе С (вывод 11 микросхемы). Положительный импульс, сформированный на выходе микро- схемы Dl1.2, воздействует на ключ, собранный на транзисторе VT 19 и вводит ero в режим насыщения. При этом общая точка резисторов R99, R100 заземляется через насыщенный транзистор VTI9, и пороr срабатывания РЭ обнуляется.
В этом случае пере- брос РЭ происходит при достижении нарастающим фронтом тре- уrольноrо сиrнала нулеБоrо уровня, соответственно изменяется направление перезаряда накопительноrо конденсатора и, следова- тельно, направленйе наклона сиrнала треуrольной формы. Окон- чание импульса, воздействующеrо на базу ключа на транзисторе VT 19, соответствует моменту изменения фазы на 1800 фазомани- пулированноrо сиrнала. Как указывалось выше, точная установка момента изменения фазы производится переменным резистором R92.
Синхросиrнал, соответствующий частоте фазовой манипуля- ции, формируется на выводе 6 микросхемы п9 и через эмиттер- ный повторитель на транзисторе VT 15 и выходные выводы платы 6, 5 поступает на выходную розетку Х3 (приложение 2). При работе в режиме внешней манипуляции фазы замыкаются контакты 9, 7 платы при помощи тумблера 52 (приложение 2). В этом случае на выводе 3 микросхемы D9 устанавливается еди- ничный уровень. При подаче на вход внешнеrо запуска (rнездо 11.4. МАНИПУЛЯТОР ФАЗbI 11.4.1.
В состав фазовоrо ,манипулятора (ФМ) входит делитель частоты с коэффициентом деления 8, состоящий из последователь но соединенных счетных триrrеров на микросхемах D8.1, D8.2, Dl1.1, формирователя KopoTKoro импульса, построенноrо на ОДНО вибраторе с лоrическим элементом на входе микросхемы D9, вспо- моrательноrо триrrера на микросхеме Dl1.2, транзисторноrо клю- ча на транзисторе VT 19, эмиттерноrо повторителя на транзисторе VT 15, входноrо транзистора для импульсов внешней манипуля цИИ VT12 и проходноrо транзистора VTI6, обеспечивающеrо пита- ние ФN\. Фазовый манипулятор работает следующим образом.
При включении режима ФМ (замыкаются контакты 3, 2 тумб- лера 51, приложение 2) через замкнутые выводы 10, 12 платы подается напряжение питания 15 В. Это напряжение поступает на проходной транзистор VTI6, включенный по схеме параметриче cKoro стабилизатора напряжения и обеспечивающий на выходе (эмиттере) транзистора VT16 напряжение +5 В, которое задается стабилитроном VD7, включенным в цепь базы транзистора VT 16. Резистор R101 и стабилитрон VD8 служат для защиты схемы ФМ от переrрузки в случае пробоя транзистора VT 16. На вход делителя частоты через дифференцирующую цепочку (конденсатор С28, резистор R76) поступают сиrналы с OCHoBHoro выхода РЭ.
Деление частоты осуществляется тремя последова тельно соединенными триrrерами Dтипа с запуском по счетному 40 41