oven — 2.1 Технические характеристики

2 Технические характеристики и условия эксплуатации Продолжение таблицы 2.2 Таблица 2.3 – Аналоговые входы (AI) Таблица 2.4 – Датчики и входные сигналы 11 Параметр Значение (свойства) Дискретные входы (DI) Быстрые дискретные входы (FDI) ПРИМЕЧАНИЕ * Определяется длительностью цикла контроллера. ** При обработке сигналов энкодера (см. раздел 5.4). *** Минимальная длительность импульса в режиме подсчета количества импульсов – 10 мкс. Параметр Значение Подключаемые сигналы см.

таблицу 2.4 Разрядность АЦП 16 бит Время опроса одного входа, не более* Унифицированные сигналы 0,6 с ТС 0,9 с ТП 0,6 с Сопротивления 0,6 с Предел основной приведенной погрешности при измерении Унифицированные сигналы ± 0,25 % ТС ± 0,25 % ТП ± 0,5 % Сопротивления ± 0,25 % Максимальная дополнительная погрешность, вызванная влиянием электромагнитных помех, не более ± 0,3 % Дополнительная погрешность, вызванная изменением температуры окружающей среды, на каждые 10 градусов, не более 0,5 предела допускаемой основной приведенной погрешности измерения ПРИМЕЧАНИЕ * Поскольку входы опрашиваются последовательно, общее время опроса равно сумме времен опроса всех активных входов.

Если в параметре «Тип датчика» установлено значение «Датчик отключен», датчик исключается из списка опроса.

Датчик или входной сигнал Диапазон измерений Значение единицы младшего разряда Предел основной приведенной погрешности Термопреобразователи сопротивления по ГОСТ 6651-2009 Cu 50 (α = 0,00426 °С-1)* –50…+200 °С 0,001 °С ± 0,25 % 50М (α = 0,00428 °С-1) –180…+200 °С Pt 50 (α = 0,00385 °С-1) –200…+850 °С 50П (α = 0,00391 °С-1) –200…+850 °С Cu 100 (α = 0,00426 °С-1)* –50…+200 °С 100М (α = 0,00428 °С-1) –180…+200 °С Pt 100 (α = 0,00385 °С-1) –200…+850 °С 100П (α = 0,00391 °С-1) –200…+850 °С Ni 100 (α = 0,00617 °С-1) –60…+180 °С Pt 500 (α = 0,00385 °С-1) –200…+850 °С 500П (α = 0,00391 °С-1) –200…+850 °С Cu 500 (α = 0,00426 °С-1)* –50…+200 °С 500М (a = 0,00428 °С-1) –180…+200 °С Ni500 (α = 0,00617 °С-1) –60…+180 °С Cu 1000 (α = 0,00426 °С-1)* –50…+200 °С 1000М (α = 0,00428 °С-1) –180…+200 °С Pt 1000 (α = 0,00385 °С-1) –200…+850 °С 1000П (α = 0,00391 °С-1) –200…+850 °С Ni 1000 (α = 0,00617 °С-1) –60…+180 °С