Поз. обозна- чение DAI ПАЗ. РАД, ПАБ TAB DD DOG Ll, Le Ld L4 Ld L6...L8 L1i...L15 81, ве RS, R4 | R6 В ЕВ Ro R10 Rll, Rle R13 R14 R15 R16 R17?
R18 R19 R20, Rel ВЕР Наименование Микросхемы KPLOGHTIE 3.456.006 TY Ю1ВУН1Д 0.34е.009 ТУ KP140ҐJ1A 0,348,454 TY KPLOSHT1B 3.466.006 TY КР140УД1Б 0.348.454 ТУ MISSA 0.348.244 ТУ1 К151ЛАЗ 0.548.068 ТУ КМ155ЛАЗ 0.348.244 ТУ1 Дроссель высокочастотный ДМ-0,1-200 мкГн+5 Х-В 0.477.005 TY Индуктивность 4.'7'/7.275-05 Дроссель высокочастотный ДМ-0,1-200 мкГн+5 %-В 0.477.005 ТУ Линия с ферритом 5.433.312 Дроссель высокочастотный ДМ-0,1-200 мкГн+5 $-В 0.477.005 ТУ Дроссель высокочастотный ДМ-0,1-500 мкГн+5 %-В 0.477.005 ТУ Резисторы МЛТ ГОСТ 7113-77 СПЗ-16 0.468.087 ТУ СП3-19 0.468.134 ТУ C2-10 0.467.072 TY Cl5-20B6 0.468.540 TY СПЗ-4аМ ГОСТ 2.2738-77 CI3-9 0.468.012 ТУ МЛТ-0,125-1 к0м+10 9-В МЛТ-0,125-270 0м+10 2-B СП3-166-е,е кОм+20 %-1 МЛТ-0,125-10 к0ы+10 %-B МЛТ-0,125-1 кОм+10 %-В МЛТ-0,125-3 к0м+10 %-В МЛТ-0,125-4,7 к0м+10 %-В МЛТ-0,125-1,5 кОм+10 %-В MIT-0,125-560 0м+10 %-B МЛТ-0,125-56 0м+10 %-B MIT-0,125-82 KOm+10 %-B МЛТ-0,125-7,5 к0м+10 %-В МЛТ-0,125-430 0м+10 %-B МЛТ-0,125-2,2 кОм+10 %-B МЛТ-0,125-2 кОы+10 %-В МЛТ-0,125-1 кОм+10 2-B МЛТ-0,125-5,6 к0Ом+10 %-B С2-10-0,125-100 Ом+1 ee ee ho RP Oe Примечание