I З ЗIО 1 озо зо 1 00 100300 зоо 1 000 мкс. Поз. Основные СЬ 1>' Прямое- обоз&а. Наименование и тип даниые o (номинал) 0111 Ч8'Rие чення tJ Д9 Диод Д312 1 Д10 Диод КД513А I ДIl Диод Д311А 1 Д12 Диод Д312 I ТМl Матрица транзисторная rTC609A 1 ТМ2 Матрица транзисторная rTC609A I ТМ3 Матрица транзисторная KTC613A 1 MCI Микросхема К2ЛНI83 1 МС2 Микросхема К2ЛБ172А 1 МС3 Микросхема К2ЛН181 I 1 МС4 Микросхема К2ЛБI72А I I МС5 Микросхем", K2HTl71 I ШI-Ш16 Штырь 16 Основной диапазон реrулировки при скважности более 5. По- "решностъ установки длительности основных импульсов в основ- ном диапазоне не превышает ::t (0,1-;+0,03 мкс).
Лоддиапазон ре- rулировки длительности основных импульсов при скважности ме- ,нее 5 (до 2) является дополнительным. Поrрешность установки длительности в дополнительном ПОДДиапазоне не нормируется. 3.3. Нестабипьность длительности основных импульсов за один "час не превышает :t3% от установленной величины. Паразитная модуляция длитепьности не превышает ЗХ 1O3т + 0,003 мкс. . 3.4 Mal\симальная амплитуда основных импульсов U max иа внешней наrрузке 500 Ом с параллельной емкосты() 50пФ не менее 50 В. Обеспечивается п..авная реrулировка амплитуды o'f U хат дО O,3U тllК Н ступенчатое ослабление с коэффициентами (К)XI; ХО,3; ХО,I; ХО,03. Прибор имеет два дополнительных выхода 1: 10 и 1:
100 при коэффициенте ослабления Х 0,03. 3,5_ Поrрешность установки амплитуды в пределах плавносту- пенчатой реrулировки не превышает :f: (0,1 и + КХl В), rде К ко- эффициент cTyneH"laTOrO ослабления. 3.6. Длительность фронта и среза основных импульсов на внеш- ней н-аrрузке 500 Ом с параллельной емкостью 50 пФ, подключен- ной к концу кабеля длиной 400 мм (К 2), не првышает соответст, венно 50 и 100 нс при скважности не менее 5, а при скважности менее 5 (до 2) соответственно 75 и 120 нс. При подключении наrрузки с емкостью к концу кабеля длиной 1000 мм (К 3) дли- тепьность фронта и среза не превышает соответственно 75 и 100 нс при скважности не менее 5.
а при скважности менее 5 (ДО 2) со- ответственно 100 и 150 нс. 3.7. Неравномерность вершины импупьса и в паузе при работе нп, внешнюю наrрузку 500 Ом с параллельной емкостью 50 пФ не превышает 5 % от амплитуды при скважности не менее 5, а при скважн6стн от 5 до 2 неравномерность не нормируется Выбросы на вершине и в паузе не превышают 5% от амплитуды. . 'З.8. Временной сдвиr (задержка) OCHoBHoro импупьса относи "e.IIьно синхроимпульса (D) реrулируется плавно-ступенчато от 0,1 до 1000 МКС И устанавливается в пределах: О, I О,З 0,31.0 Примечание: Вместо матрицы транзисторной КТС61.3А возможно при 14енение транзисторов КТ608Б. 8