осциллографа, подключенного к разъему ВЫХОД НА ОС- "+ получив нулевые биения, определите {по частотомеру) частоту гетеродина , при этом частота гетеродина соответ- ствует (п-+1)-й гармонике; продолжайте перестройку гетеродина до получения нуле" вых биений на соседней п-й гармонике, которой соответ- ствует частота {5; определите частоту гетеродина №, соответствующую п-й гармонике; по формуле (11) определите номер гармоники; Ha переключателе НОМЕР ГАРМОНИКИ установите полученное значение номера гармоники п (гетеродин нахо- дится в режиме нулевых бнений на частоте 12); пройзведите отсчет значения измеряемой несущей частоты импульсно-модулированного сигнала с цифрового табло частотомера; выключите частотомер.
Примечания: 1. При измерении частоты в диапазоне от 70 до `210 МГц необходнмо знать измеряемую частоту с точностью до днапазо- на гетероднна. - . - 2. При измерения в диапазоне сцыше | ГГц желательно работать на частоте [гет.>100 МГц. 3. При наличин девнацин частоты в импульсе производится измерение среднего‘ значения несущей частоты. В этом случае эначение частоты определяется прн нахождении нулевых бнений в центре импульса. В со- OTBETCTBHH с этим возможно измеренне девнации частоты в импульсе. ‚Для этого перестройкой частоты тетероднна добиваются появления бие- ний ‘в начале и’конце импульса и в эти моменты ‘производят измерение частоты [х:
и [х,, тогда ‘девнация частоты в импульсе будет равна: Их ПХ. | (12) Прн этом форма сигналон нулевых бнений на экране, осциллографа `должна быть близка к приведенным на рис. 7. : . 4. При измерении несущей частоты ИМ сигнала с помощью осцилло- графа фо ма сигналов нулевых бнений в зависнмости от длительности и частоты следования импульсов должна быть близка к приведенным на рис. 6. . ‚® 5. Для плавной настройкн на нулевые биення прин измерении несу- щей частоты ИМ сигнала необходимо вести подстройку частоты задающе- то генератора (гетеродина) с помощью ручки ПОДСГТРОИКА ИМ. 26 Усилитель постоянного тока Перечень элементов о Наименование | Кол.
| Примечанне Конденсаторы Cl - КМ-56-Н90-0,| мкФ | " С2, (3 К5З-4.15.10=20% 2 (4, C5 K.M-56-H90-0,L me 2 Co К5З-4-15-10=20% | CT KM-56-H90-0,1 wx 1 С.8...С1 К5З-4-15-10=20% 4 C12 КМ-56-Н90-0,[ мкФ 1 . C13* K53-4-15-0,47 + 20%) 1 0,68; 15; 22 мкФ D1 Микросхема 159НТТА 1. ; ‚ 02 Мнкросхема 140УД1Б | 1.1—№4 Дроссель. высокочастотный ДМ.0,1-200=5 4 [.5* рост дысокочастотный “U,e-20 может отсутств. RI ОМЛТ.0,125-130 кОм+5% у R? CH5-2 15 кОм=10% i Kd ОМЛТ-0,125-130 кОм=5% | ва - OMJ1T-0,125-510 кОм-10% l R5 ’ ОМЛТ-0,125-15 кОм =10% 1. RG OMJIT-0,125-33 KOm+5% i RT OMJIT-0,125-3,9 кОм+5% 1 R8 ОМЛТ-0, 125-33 кОм+5 ] RY ОМЛТ-0,125-3,9 кОм-5 1 R10, Ril ОМЛТ-0,125-1 кОм+5% 2 Rl?
OMAT-0,125-510 KOm+t 104, | 813 ОМЛТ.0,125-130 кКОм+5% ~ 1 В4 СП5-2 15 кОм=10% 1 815 ОМЛТ-0, 125-130 кОм-=5%, I R16 OMJIT-0,125-430 Om+10% 1 RI? OMJIT-0,125-1 xOm+ 10% 1 RIB . ОМЛТ-0,125-180 Om 10% 1 819, R20 ОМЛТ-0,125-430 Ом=5% 2 R21 ОМЛТ-0,125-68 Ом=10% 1 R22 ОМЛТ-0,125-1 кОм=5% 1 R23 .С2-10-0,25-583 Ом-+0,5% i R24 `ОМЛТ.-0,125-1 кОм=59, 1 R25* OMJIT-0,125-51 xOm+10% 1 47, 56, 62 кОи R26 ОМЛТ-0,125-3 кОм+10% 1 R27 OMJIT-0,125-51. кОм 10% 1 R28 СП5-2 10 kOm= 10% , 1 R29 ОМЛТ-0, 125-10 KOm= 10%, 1 R30 ОМЛТ-0,125.12 Ом+ 10% 1 Vi Транзистор 213266 1 y2 Транзистор 211C104T I Ґ3 ° Транзистор 21303Д ~ ] 51