2.4. Условия эксплуатации reHepaTopoB: температура окружающей среды ДJIЯ рабочеrо состоя- ния от 283 до 308 К (от 10 до 35 0 С); относительная влажность воздуха до 80% при темпера туре 293 К (+20 0 С); напряжение питающей сети 220 В ::!: 10% частотой 50 Тц::!: :t 1 %, Поз., обозна 'It'ние Продолжение приложенни 4 Наименование I(ол. Примечание R24 R25 R26 R27 R28 R29 R30 '{31 R32 R33 R34 RЗ5 , R3б CI С2 С3 С4 С5 С6 С7 дl Д2,..Д5 Д6 " . Д7 Д8 Д9 ДlO ДИ _ д14 Дl5 Дlб, ДJ7 Лl Прl Pl Р2 TI Т2,., т4 Т5 Т6 Т7,.. Т9 3. ТЕХНИЧЕСКИЕ ДАННЫЕ 3. 1. Номинальные диапазоны частот reHepaTopoB и BHYT ренних частотомеров, а также поддиапазоны частот reHepaTo ров приведены в табл. 1.
Таблица 1 Условиое обозначение reHepaTopa Диапазон частот reHepaтopa И BHYTpeHHero час- тотомера, rrц Поддиапазоны, rrц Сечение волновода, мм 1'4- 'Н 11 хМ 16,625,80 16,6 \.9,80 19,23,OO 2З,ОО25,80 25,8030.15 30,15-----35,00 35,OO37,50 r4115 7.2х3,4 25,8037,50 Запас по частоте на краях диапазона и перекрытие между поддиапазонами не менее 0,2%*. 3. 2. Поrрешность установки частоты по внутреннему часто- томеру с учетом поправочноrо rрафика I;Ie превышает :1:0,1 %. 3. 3. Изменение частоты при медленных изменения;: напря жения питания на ::!: 10% не превышает ::!: 1,5. 104. 3. 4. Изменение частоты выходноrо сиrнала:
при изменении КСВн внешней наrрузки от 1,2 до 2,5 при уровне выходноrо сиrнала 1. IOз Вт не превышает :1:2. IO4; при реrулировке уровня МОIЦности от наБОЛЫllеrо до наименьшеrо значения не превышает:!:: I . 10З при КСВн внешней наrрузки 1,2. 3. 5. Нестабильность частоты (при неизменных внешних условиях и неизменном напряжении питания) через 30 мин. после включения прибора или переключения поддиапазона за любые 15 мин. ero работы не превышает I . 104. У2 RJ R2 RЗ R4 R5 Rб R7 * На участках запаса на краях диапазона обеспечиваются нормы по выходной мощности (п. 3. 7) и поrрешности установки частоты (п. 3. 2). 8 Резист, МЛТ-О,551О Ом:!::5% МЛТО,25-56 кОм:!:: 10% МЛТ-О,25.,1 кОм:!::
10% C2-14-0,2513 кОм:!::О,5% B СП5-2 4,7 к 10% C2-14-0,25 100 KOM:l:O,5%B МЛТ-О,.25-39 кОм:!:: 10% СП5-2 10 IC 10% МЛТО,25-1O кОм:!:: 10% МЛТ23,З "Ом:!:: 10% МЛТО,25-160 "Ом:!:: 5 % МЛТ2-2 "OM:l:5% 1\1ЛТ0,5-680 Ом:!::5% I(онденс I(50-6-II-50в50 мкФ-БИ K50-6-I-IOOB-1 мкФ-БИ КЮ6-1-IООв-1 МIСФБИ K40Y9200,,().OI:l: 10% к 4ОУ 9-6зо..о.l :1:
10% МБМI60..о.1 :1:,10% 1(50-6II-100в-20 м"ФБИ Диод Д223А " МД217 Стабилитрон Д818r Д81вr Диод Д311А Стабилитрон Д814r Диод Д226Б Диод I(Д 509 А СтаБИJIИТрОll Д814Д Лампа БЭI5П Предохраните>1!' ВП 1 -1-0,25a Реле РЭС-IО РОО.452.049 ТУ Реле РЭС-I О РСО,4.52.049 ТУ Транзистор П306А П308 КТ602Б П306Д П308 Плата модулятора [О6.692.141 1 Резист, МЛТ-О,25-51 OM:t5o/c 1 С2-1 4-0,25-1 3 KOM:l:1 %-В 1 МЛТО,25-3 "OM:l:5% 1 МЛТО,25-30 KOM:l:5% 1 МЛТО.25-21СОм:t:j% 1 МЛТ-О,25.8,2 кОм:!: 10% 1 МЛТ-О,25-1 ,2 кОм:!:.10% 1 1 1 I 1 1 3 I 1 1 1 1 ' 1 1 I 1 1 1 1 1 1 1 4 2 2 1 I 4 1 2 1 1 1 1 1 3 1 1 3 ПоследоватеJlЬ но RЗОО"Ом Последова- тельно 9i