Продолженне приложения 4: I r"". astena.r Поз., обеэна. чение Наименование R8 R9 ЮО Rll Ю2 ЮЗ Ю4 Ю5 R:16 Rl1 Ю8 R19 R,20 R21 R22 R2З С) С2 u1 С4 С5 С6 С7 д1".Д5 дi6 Др) TI,..Т4 Т5, Т6 Tpl УЗ Ю R2 R3 R4 RI5 R6 R7 R8 R9 RIO ЮI R.t2 Ю3 RI4 Ю5 Ю6 Ю7 92 Резист. МЛТ -0,25-4,7 KOM:t 10% МЛТ0,25-360 OM:l:5% МЛТ0,25-2 KOM:l:5% МЛТ0,258,2 кОМ:I: 10% МЛТ -O,25I,2 кОМ:I: 10% МЛТ-О,254,7 KOM:t 10% МЛТ-О,25200 OM:l:5% млт-о.,25-240 OM:l:5% МЛТ-О,25 750 OAt:l:5% МЛТО,25-З3кОм:I: 10% МЛТ -О,2б-3,9кОм:I:
10% МЛТИ,6 KOM:l:5% СПб-.2 220 10% млт..о,2б24 OM:l:5% МЛТ-2620 OM:l:5% QП5-2 47 к 10% l 1 I I 1 I I 20 Диод Д311А " Д237В Дроссель высокочастотный д1О,IЗ5:1:5% Транзистор rT308A Транзистор I Трансформатор ТИМ 180 Т Плата УСИi/llПeJlЯ fB6.692.140 Резист. МЛТ-О.2556кО.lt:l: 10% МЛТ ,25-6,8кОм:I: 10% МЛТ -O,25 15KOM:I: 10% МЛТ0,25-100 OM:l:5% СП5-2220 10% МЛТ-О,551O OM:l:5% МЛТ ,2582кОАt:t 10% МЛТ -0,25-6,8 кОм:I: 10% МЛТ-2-3кОм:l:5% МЛТО.25-1,8кОм:I: 10% МЛТ..(),25-I30 0..:1:5% .. МЛТ-О,25-56 кОм:I: 10% .. МЛТ-О,25-22 KOM:I:'IO% МЛТО.25lкОМ:l:IO% МЛТ -O,25 10 кОм:I: 10% МЛТ-О,256,8кОм:I: 10% МЛТ -О,2516кО..:l:5 % 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 2 1. В В Е Д Е Н И Е Параллельно R==800 Ом 1. 1.
Техническое описание и инструкция по эксплуатации (ТО) предназначены для изучения устройства, принципа действия, основных технических характеристик reHepaTopoB сиrналов высокочастотных [4-1 14 и [4I 15, а также содержат сведения о порядке эксплуатации, нахождения и устранения неисправностей, реrУJIИРОВКИ и поверки вышеназванных при" боров. 1. 2. В ТО имеются сокращения, которые отсутствуют в соответствующих стандартах: ЗИП запасные и вспомоrательные принадлежности, КСВн коэффициент стоячей волны, Hf непрерывное rенерирование, ППМ плата печатноrо монтажа, СВЧ сверхвысокая частота,' ПТ , усилитель постоянноrо тока. 1. 3.
Позиционные обозначения элементов в тексте COOTBeT ствуют принципиальной схеме. Для элементов, установленных на печатных платах или входящих в еостав какоrо-либо узла, перед позиционным обозначением указывается условное обо значение этоrо узла. Например: YI-R2 резистор R2, установленный на пла- те YI, YYIR.I резистор Rl; установленный на плате YI rенераторной камеры У4. 1 1 1 I I I 1 1 1 1 1 5 I I 4 2 I I ) 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 I 2. Н А 3 Н А Ч Е Н И Е 2. 1.
[енераторы сиrналов высокочастотные f4-II4 и f4-II5 с волноводным выходом являются источниками СВЧ-колеба- ний, калиброванных по частоте, и предназначены для исполь зования при измерениях, связанных с разработками, испыта ниями, а также ремонтом и поверкой радиоэлектронной аппа ратуры. 2. 2. [енераторы прим/няются в области радиоэлектроники. 2.3. [енераторы удовлетворяют требованиям [ОСТ 9763-67 и [ОСТ 9788-69_ 7