\ . astena.ru \ НаИ:V;CI!О[]шше lIеиёiiрав- нос ПI, внешнее ПРОЯВЛСJl!!С 11 ДОЛОЛНIIтеЛЫIЫС прнзншш Метод видами оборудования с помощью кабелей, коаксиально-волновод- ных и коаксиальНых переходов, придаваемых к прибору. 10.1.5. Для получения rарантированной стабильности частоты 11 мощности необходимо проrреть прибор при фиксированной на- I'рузке не менее 30 минут. . 10.2. Проведение измерений. 10.2.1. reHepaTop обеспечивает следующие виды работ:
режим немодулuрованных колебаний (непрерьrвную reue- рацию НП; внутреннюю и внешнюю модуляцию меандром; внешнюю амплитудно-импульсную модуляцию импу.пьсами положительной полярности; внутреннюю частотную модуляцию пилообразным напря- жением; внешнюю частотную модуляцию синусоидальным нацря жением; режим синхронизации частоты внешним синхронизатором. 10.2.2. Поставить переключатель рода работ в Ш:>J.Iожение Hr. Установить ручкой, связанной со шкалой ЧАСТОТА GHz, тре- буемую частоту. 10.2.3. Ручк{)й реrулировки УРОВ. мОЩНОСТИ,! ПОД которой ropMT индикаторная лампочка, установить необходн,мый уровень выходной мощности. Для получения от прибора максим.алыюrо уровня выходной мощности необходимо:
ручку реrулировки УРОВ. МОЩНОСТИ, под которой не ro- рит индикаторная лампочка. установить в райнее левое П0лщкение; установить. ручку ЧУВСТ. в крайнее оравое положеине; ручкой реrулировки уровня МОЩНОСТII, под которой сорит IIндикаторная лампочка, установить максимальное показание индикатора. В отдельных участках диапазона возможно умень- шение показаний BCTpoeHHoro индикатора моности до нуля при l\fаксимально-rарантируемой выходной мощности. 10.2.4.
Режим внутренней модуляции меандром 'fU или пилообразным напряжением М обеспечивается переводом лере- l При работе прибора в режиме ,внутренней модуляции пилообраз- ным напряжением с выходноrо разъема снИ'мается сиrнал «пилы» не менее 30 В, амплитуда KOToporo реrулиру€тся рУЧК 10.2.5. При работе в режиме внешней модуляции напряжение !\юдуляции подать при помощи придаваемоrо кабеля на I'иездо ВНЕШН. МQДУЛ. Переключатель рода работ установить в поло- жение требуемОI'О вида модуляции ( Пили ЧМ). Амплитуда по- ложительноrо импуnьса, Л Jl.аваемоrо lIa f1нездо ВНЕШН.: МОДУЛ., должна быть в пределах 1420 В, Максимальная ,ю.tплиту,да ПРОДО:IЖСlше табл. 7 }3с[)uяrп;ш ПpJII!lfП3 устр ШICIll!Я 1:\.
IICll1зщнrЖСIIИП 100 В 13. I3ЫШ."la 113 СТРUЯ всташ{а плавкая Пр8 14. ВЫI1lс.1 113 СТРОЯ проходной транзисор Т3 или т:з на плате 3.662.034 15. Вышла И3 СТРОЯ вставка плавкая Пр5, Пр6 16. Вышел из строя проходной транзистор Т4 или нет наrрузки на источник (сrорела нить накала КJrистрона) Заменить 1.1. Напряжение 100 J3 ()ОЛЫП(' НОПlНа.la н lIe ста- GПЛП.!!1РУСlса Заменить неисправный транзистор 15. Нет пзщт:жщlИЯ 6,3 В За!енить 16. Напряжение 6,3 В больше НО1Иllа."la н не с I"а- fiИЛИЗIIРУf'ТСЯ Неисправный Э.11емент заменить 11.2.2. Приведенный перечень неисправностей не является исчерпывающим.
При ремонте приборов следует пользоваться планами размещения блоков в приборе и элементов в блоках питания и на платах, а также картами напряжений на электродах !\.J[истропов 11 IIОЛУПРОВОДНИКОВЫХ приборов (см. приложенпе). 11..3. Методика ремонта приборов не отличается от обычноЙ щ:п)дики ремонта радиотехнической аппаратуры. 11.2А. При необходимости более СЛОЖНОl"о реI\юнта (в объеме среДlIеrо ремонта) по вопросам заказа peMOHTlIOI'O ЗИПа, ремонт- поЙ доку ментации, а также по 1I0J1учению адресов предприятий централизованнш-о ремопта приборов необходимо обращаться к заВО,J.у-изrотовите.IJЮ по адресу, укаqаlШОМУ в формуляре прибора. 11..3. Меры бсзопасности при провеДСllИИ ремонтных работ.
11.3.1. При ремонте смену КJlИСТРОНОВ проводить через He CKOJIbKO минут после выключения прибора во избежание ожоrов ОТ сильно разоrрСТblХ клистронов и поражений от остаточных напряжениЙ па конденсаторах. 11.3.2. С\ Te:IblIbIX приборов следуст проводить TOJIlJKO при БЬШ.'lюченном I1риборе и ОТКJIlОЧС!П-lOM кабеле питания. 11.3.3. При ремонте прибора необходимо помнить, что корпу- са TpaH3HCTUp0l3 Т2, Т4, раСПО:lОжеиных на задней стенке пр ибо- ра, находятся под потенциалом 350 В относительно корпуса прибо ра. Корпус транзистора Tl, расположенншо на шасси (см. рис. 23 ПРИЛОЖСНIIЯ), тю тельнu lщрпуса прибора. Корпус транзистора Т3, расположен- Horo на заднеЙ стснке прибора (см. рис.
23 ПРЦЛОЖСНIIЯ), Ha 4s 6 [4-111, [4-l1l/a. [4-111/б ТО 41