ВJlЯется во :ВТОроМ УОИJIИтеJIЫIОМ каскаде, выпJIнешlомМ на транзиоторах :раэиоrо типа п:роВОДlDlоО'rИ (мп:росхема А5 и транзиото:ры V.T1 и УТ2) путем изменения :вeJIИ11ИЮl обратной св8зи ПОдР:JIЮЧениеti резиоторов R14 и R15. Входное ООIl:pO'rИВJIение ат'1'енюмора 1 МОМ защувтированО' емкостью 25 пФ, которая CP:JIaдн.вае'l'CSl из входной емкости схемы усилителя верти 1t8JlЬНОI'О ОТRJlонения и паразитной емкости монтажа аттенюатора.
дм уменьшения поrреmности измерения, вносимой аттенюатором, в аттенюаторе примененн п:реЦИЗИОIlЮlе резисторы, ВеJlИЧИНН СОПРОТИВJIений которых под06ранн таким образом, что обеспечивается одна и та же B личина входиоrо ООп:роТИВJlения кезависимо от ПОJIожения пе:реRJlЮ'la'reJDI ВО.IIЬT/ДFJI . IIри ИСПОJIЬЗОВ8ВИИ :внио()Horo делителя 1: 10 ,06щий Rоэ4Фициент д Jleнu у:8eJIИЧD8еТСЯ в 10 :раз. иеремеввне Rовденсаторн С3--С5 на входе каждоrо делитеJIЯ аттенюа-- тора ПОЗВОJIЯЮ'l' реrули:ровать В.1:одву1) емкооть T8.R, чтобы она имела оди наItовую :ве.пичину ДJШ всех пOJlODИИЙ аттеиюатора.
IIe:ременине коJЩеис&'1'орн С7, 09 и С10 ПОЗВОJlЯЮТ производить ко»- певс8ЦИII аттеиюатора во всеl ПОJIосе частот. ' с внх.ода aттellliaтopa иссле.цуе1оlНЙ oиrиaJI поступает на ВХОДНОЙ каохад УСИJIИтеля Вер'l'ИКаJIЬноrо О'l'P:JIовения. 5.2.3. IIервый (входной) каскад УСИJIИ'l'еJIЯвертИК8JIЬНОI'О OTIUlOH кия 006рав по 68JI8BCBol схеме. Кццое ПJlечо 68JIаИсноI схемы n:peдOTa:в-- JUIeT 006ой охему оовместноrо BRJ.[J)'IIеНИЯ ПОJlевоrо и БИПОJЩРRоrо транЗИ сто:роэ, охваченннх r.цу6oкol 06ра!'воl СВllзью. T8.Roe построение входн 1'0 каскада 06еспечи:вает высокое ВХОДН дрейф нулевой JDПDIИ .Q'Ч8.
В Качеотве полевых т:равэиС'l'о:роэ испОJlЬЗУЮТСЯ т:ранзиото:ры V Т9, 06ъедивеинне в одном и.орцусе, а в качеотве 6ипоJIя:рных транзиоторов МИIqЮсхема А4. дпя вьtраВ1DШSИИЯ коэфf}ициентов УОИJIения по низким и вн-- соким частотам :в схеме примеиева ЗllИтте:риая :корреRЦИJl. .l1.1rя ИСRJIЮЧеJDIЯ воЗМОQОС'l'И внхода из строя ПOJ1евоrо транзистора при случайной подаче на :ВХОД 60JIЬ1ПИХ напрlDtеиий предуомотрена схема 88111И'l'Н, 006:раннаа на ДИОДВНХ матрицах Ю, Ю1, ИМ8ПЦИХ незначитеJlЬRНе об:ра'l'Юlе токи и ма.цу1) емкость. для ИСКJIЮЧения скачка .ц.уча при изменении коафlJи:циента УОИJIевия УСИJlИТеля вертикальвоrо ОТКJIонения резистором R22 во втором ппвче пер- 14 l1родозrаение . IIОЗ.
06 Наименование Ко.л. Примечавие значение Резисторы:
R120, R121 OMlIT,2910 0Мj;5% 4 RI22, Ш23 OMJIT , 52 кОм;t5% 4 RI24 C29B.1251 RОмIIБ 2 RI27 C29B,1251 'Ксмt1%--IБ 2 RI28 C29В--O.I25 k RI37 OMlITO,12IO иОмtlо% 1 R138 OMJIT,12130 O5% 1 1'139 OMJIT...CJ,21,8 KO10% 1 RI40 ОМ1IT ,256 0'4:1:10% 1 RI41 OMJIT...CJ , 12 1 КОМj;IO% 1 RI42 ОМЛТ...CJ;I270 OM;t10% 1 Ш43 OMJIT...CJ ,227 OMj;,IO% 1 RI44, R145 OMJIT...CJ,25--3,9 кOIO% 2 R146 ОМЛТ...CJ ,2220 O!tltt1O% 1 1>147 OMJITO,12O Olltt;lQ% 1 Щ48 OMJIT...() , 1222 KOЦiIO% 1 Ш49 OMJIT...(),12I5 KOJ4t10% 1 1>150 QMJIT,2I,5 к RI51 ОМ11T,12,2 KOM% 1 RI54 ОМ1IT...CJ,12120 OMj;10% 1 R155 OMlIT...CJ ,125--390 OMj;,IO% 1 Ш56 OMJIT...CJ ,125--8,2 кОМ;t5% 1 R157 OMJ!Т...CJ, 125, 1 KOмj;5% 1 iI58 OMJIT...() ,220 RO% 1 iI59 СП4I1 КОм--A16 1 Щ60 OMJIT...CJ ,2 1 ,5 кОм;t10% 1 Щ61 ОМЛТ,I2270 OIO% 1 RI62 0М1IT,12220 кОм;t10% 1 Щ63 ОМllТ,25--5IО 0Мj;5% 1 Ш64 OMJIT...CJ , 12 1 коМ;i;IO% 1 Щ65 ОМЛТ ,125--820 OMj;,10% 1 RI68 OMn:T,2')..270 0М;t10% 1 iI69 OMJIT...() , 12 1 КОМj;IO% 1 RI70 ОМЛТ...CJ,12100 O!tltt1O% 1 R171 ОМ.JIT.
12 1 ROl.C;t10% 1 RI72 ошт...() , 2560 OMj;,IO% 1 II9