полярности, амплитудой 6 В, длительностью импульса 200 нс и длительность фронта около 30 нс поступает на плату установки ДJlительности. Схема формирования синхроимпульсов состоит из мультивиб ратора (МС2), работающеrо в ждущем режиме дифференцирую- щей цепочки (С2, R7), эмиттерноrо повторителя (МС4) , ОДRовиб.. ратора (Д5, МС5), инвертора (МС6) и усилителя (МС3-Т2). Мультивибратор (МС2) и дифференцирующая цепочка (С2, R7) являются схемой задержки, которая необходима в канале синхроимпульса для установления нулевоrо времениоrо сдвиrа между синхроимпульсом и основным импульсом reHepaTopa, т. е. для компенсации паразитной задержки в канале формирования основных ИМПУJIЬСОВ.
Нсобходимая величина I:Iремсиноrо сдвиrа выставляется потенциометром R5. ЭмиттерныЙ повторитель (МС4) СJlужит для cor.'lасования cxe мы задержки с одновибратором. Сформированные по фронту и длитеJIЬНОСТИ одно вибратором импульсы через соrласующее уст- ройство (МС6) поступают на вход УСИJlИтеля мощности с транс- форматорной наrрузкой (МС3-Т2). Со вторичных обмоток транс- форматора снимаются сформированные по амплитуде, длительно- сти и фронту син.хроимпульсы reHepaTopa. Потенциметром R9 осущеСТБляется реrулировка амплитуды синхроимпульсов от MaK симальноrо значения до уровня не более 0,1 максимальиоrо зна- чения. 5.2.4.
Схема установки длительности (У4) по припципу работы аналоrична схеме BpeMCHHoro сдвиrа. ПусковоЙ импульс с платы установки npeMeHHoro сдвиrа и син- хроимпульса поступает на ВХОД мультивибратора (МС1). Мульти- вибратор, работающий в ждущем режиме, rенерирует импульсы переменноЙ длительности. С помощью потенциометра R4, располо- женноrо на лицевой напели, осуществляется плавное изменение длительности импульса мультивибратора_ I дающих емкостей CI-C4, C7CI0, Cl3C20. С23, С24. С26-С29 осу- ществляс 1 ся ступенчатое изменение длительности. Весь диапазон длительности от 0,1 до 1000 мкс перекрывается восемью поддиз- пазонами, МКС:
0,IO,3 O,3I 13 310 I озо 30100 100ЗОО ЗОО1000 ПереКЛЮЧ.lТели В 1.1 {- В 1 8, осуществляющие костей, расположены на плате. Потенциометрами коммутацию ем- R2, R4, R7, RIO, Основные J., Поз. :r Приме- оБОЗН8. Наименование и тип данные i:;! (номина.1) t чание чения . I RI Резистор 3,6 кОм МЛТ -0.25.3.6 кОм:I::
1 О % I 1 120 Резистор 68 Ом 1 МЛТ-О,2568 OM:l::lO% R21 Резистор СПЗ..lб 0.25470 Ом 470 Ом I Н22 Рсзистор 1,2 кОм 1 МЛТ..О,25-1,2 KOM::!::lO% Н2З Резистор 68 Ом 1 МЛТ0,2568 ОМ:l::lО% I R24 Резистор СПЗ-lб 0,25-470 Ом 470 Ом I 1 I с, ," Резистор ",.) 5,6 кОм 1 МЛТ-О.25-5,6 KOM::!::lO% R26 Резистор 3.6 кОм 1 МЛТ-О,25-3,6 КОМ:l::lO% I Ю7 Резистuр 1,2 кОм 1 МЛТ..О,25-1,2 KOM::!::lO% I Р28 Резистор МЛТ..О,25-З,6 KOM:tlO% I 3,6 KOl ! I I к29 Резистор I ;).61.0м 1 МЛТ-О,25-5,6 KOMl:: 10% НЗ0 Резистор 68 O! 1 l\ШТ..О,25-6R OM:tlп% i Rf) Резистор V I МЛТ-О,25-68 Оы::!::IO% 68 Ol 1 RЗЗ Резистор i I МЛТ..Q,25-1,21{Ом:t1О% 1,2 кО)!
1 Р34 Резистор 1 МЛТ-О,25-68 OM:tIO% 680:>.\ 1 CI Конденсатор I К22У ..lБ..М47 -35..ЗОО:t5% зао пФ 1 С? Конденсатор К22У-IБМ47 35-ЗОО:l::5% 300 пФ 1 16 81